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晶圆研磨抛光减薄 复合一体机

1、省去工序间转运,效率倍增
2、一台设备替代多台,节省空间与成本

晶圆研磨减薄复合一体机是半导体封装及先进制程中的核心设备,专为超薄晶圆背面减薄与表面处理而设计。该设备将粗磨、精磨、抛光与贴膜工序高度集成于同一平台,在完成减薄及应力释放后,可直接将晶圆转移至贴膜单元,有效避免超薄晶圆在搬运过程中的破损风险。


设备采用全自动干进干出(Dry-in/Dry-out)上下料系统,搭配在线厚度实时监测,确保加工精度与一致性。需注意,本机型仅支持干抛工艺(无法实现湿抛),适用于对表面质量要求严格的封装前道工序,为后续切割、键合等工艺提供低应力、高平坦度的超薄晶圆基材。


参数规格

参数规格
制造工序晶圆封测
设备类型复合一体机
加工项目研+抛+贴膜(减薄back grinding)
加工种类背面背面
对标厂商型号DISCO-DGP8761(干抛)
AM厂设备型号AWG-200TAAWG-300TA
对应晶圆尺寸6/8寸12寸
加工轴数33
CHUCK44
L / UL方式CassetteCassette
备注※一体机只有干抛, 无法做湿抛※一体机只有干抛, 无法做湿抛

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晶圆研磨减薄 单机设备

1、单一工序精度极致,良率更稳
2、配置灵活,运维便捷,换型成本

  • 晶圆研磨减薄单机设备是面向晶圆衬底制造及封装前道的高精度加工设备,采用单主轴、单工作台结构,基于轴向进给(In-feed)磨削原理,实现晶圆背面的高效减薄。

  • 设备集粗磨与精磨于一体,并可选配手动或自动(Cassette)上下料方式,灵活适应不同生产场景。配合在线厚度监测系统,可精确控制减薄厚度与表面平坦度,满足超薄化、低应力工艺需求。该机型以简洁可靠的设计,为晶圆减薄提供高性价比的解决方案。

参数规格

参数规格
制造工序晶圆衬底制造
设备类型单体机
加工项目研磨/抛光(lapping & polishing)研磨(grinding)※1
加工种类單面雙面單面 ※2
对标厂商型号SpeedFAMDISCO-DFGB360
AM厂设备型号ASP-1300FADL-2000FDVRG-300F
对应晶圆尺寸4/6/8寸12寸12寸
加工轴数1(下)2(上下)1
CHUCKPressure Plate*4Wafer Carrier*5CHUCK*1
L / UL方式ManualManualManual / Cassette ※2
备注Pressure Plate 在上方1carrier: 12"*3※1 取代 lapping(lapping & polishing 改成 grinding & polishing)
※2 可加装机械手臂做自动面 兩面研磨、收送料

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